MT40A512M16TB-062E: R

MT40A512M16TB-062E: R

MT40A512M16TB-062E: R est une mémoire d'accès aléatoire dynamique à haut débit qui est configurée en interne en 8 ensembles de DRAM dans la configuration x16 et 16 ensembles de DRAM dans la configuration X4 et X8. DDR4 SDRAM utilise l'architecture de rafraîchissement 8N pour obtenir un fonctionnement à grande vitesse. L'architecture de préfescée 8N est combinée avec une interface conçue pour transmettre deux mots de données par cycle d'horloge sur les broches d'E / S.

Modèle:MT40A512M16TB-062E:R

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Description du produit

MT40A512M16TB-062E:R is a high-speed dynamic random access memory that is configured internally as 8 sets of DRAM in x16 configuration and 16 sets of DRAM in x4 and x8 configuration. DDR4 SDRAM uses the 8n refresh architecture to achieve high-speed operation. The 8n prefetch architecture is combined with an interface designed to transmit two data words per clock cycle on the I/O pins.

Product attributes

Product type: Dynamic Random Access Memory

Type: SDRAM - DDR4

Installation style: SMD/SMT

Package/Box: FBGA-96

Data bus width: 16 bits

Organization: 512 M x 16

Storage capacity: 8 Gbit

Access time: 160 ps

Power supply voltage - maximum: 1.26 V

Power supply voltage - minimum: 1.14 V

Minimum working temperature: 0 C

Maximum operating temperature:+95 ° C


application

Cloud servers and data centers

automobile

Interactive health counseling and personalized health monitoring

Industrial Internet of Things and Industry 4.0

Gaming PC

Edge and video surveillance servers


Balises actives: MT40A512M16TB-062E: R

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